[아두이노] 풀다운(Pull-down), 왜 굳이 외부 저항을 써야 할까?
지난 포스팅에서 아두이노의 내부 풀업(Internal Pull-up)이 **“안에서 5V를 밀어내는 구조”**라는 것을 살펴봤습니다. 그렇다면 반대 개념인 풀다운(Pull-down) 은 어떻게 동작할까요? 그리고 왜 우리는 번거롭게 외부 저항까지 추가 해야 할까요? 1. 풀다운의 구조: 핀을 GND에 묶어두다 풀다운 회로는 이름 그대로 핀의 전압을 GND로 끌어내리는 구조 입니다. 기본 연결: 핀 ↔ GND 사이에 저항 연결 스위치 연결: 핀 ↔ VCC(5V) 사이에 스위치 배치 즉, 평상시 핀은 저항을 통해 GND에 연결된 상태 가 됩니다. 2. 작동 원리: 전압 분배(Voltage Division)의 지배 핵심은 스위치를 누를 때 발생하는 전압 분배 변화 입니다. ① 스위치가 열려 있을 때 (IDLE) 아두이노 입력 핀의 내부 임피던스는 매우 큽니다. R in ≈ 100 M Ω R_{\text{in}} \approx 100\ \text{M}\Omega 반면 외부 풀다운 저항은 보통: R pull-down = 10 k Ω R_{\text{pull-down}} = 10\ \text{k}\Omega 이 상태에서 핀 전압은 전압 분배 공식으로 표현하면: V pin = 0 V ⋅ R in R in + R pull-down ≈ 0 V V_{\text{pin}} = 0V \cdot \frac{R_{\text{in}}}{R_{\text{in}} + R_{\text{pull-down}}} \approx 0V 즉, 핀은 사실상 GND에 붙어 있는 상태 가 됩니다. → 내부 MOSFET은 논리값 0 (LOW) 로 인식 ② 스위치를 누른 순간 (ACTIVE) 스위치를 누르면 상황이 완전히 바뀝니다. 위쪽(VCC): 거의 0 Ω 0\ \Omega 아래쪽(GND): 10 k Ω 10\ \text{k}\Omega 전압 분배식은 다음과 같습니다: V pin = 5 V ⋅ 10 k ...